解答
1、必须径向充磁(直径方向 N/S)圆环 / 圆片磁铁;轴向充磁(正反面 N/S)基本不可用
2、材质:钕铁硼 NdFeB;表面磁场目标 30~70 mT;气隙典型 0.5–3 mm
3、偏心、倾斜、气隙不均会带来非线性、零点漂移、抖动;磁铁直径尽量大于芯片尺寸
4、读 STATUS(0x0B)判断磁场:
MD=1:检测到磁铁
ML=1:磁场太弱(抖动大)
MH=1:磁场过强(AGC 饱和)
5、AGC 寄存器(0x1A)辅助调气隙:3.3V 下理想值在中间区间;过小 = 弱,过大 = 强